服务内容

1、Maximum Ratings（绝对最大额定值）

2、Electrical Characteristics（典型电气特性值）

3、Thermal Characteristics（热特性）

4、Typical Performance（特性曲线）

服务范围

1、Si/SiC MOSFET/IGBT（100～1700V）

2、GaN（DFN5*8、DFN8*8、TO220）

3、Diode/MPS/JBS (50 ~ 2000V)

检测标准

IEC 60747-2 2016；IEC 60746-8 2021；IEC 60747-9 2019

检测项目

Maximum Ratings （绝对最大额定值）	Electrical Characteristics （典型电气特性值）					Thermal Characteristics （热特性）	Typical Performance （特性曲线）
	静态参数	电容特性	开关特性	反向恢复特性	栅极电荷
ID ID,pules PD	V(BR)DSS VGS(th) IDSS IGSS RDS(on) gfs RG	Ciss Coss Crss Eoss	td(on) tr td(off) tf Eon Eoff	IS trr Qrr Irrm VSD	QG QGS QGD	Rth-JC Rth-JA	ID-VDS ID-VGS RDS-ID RDS-VGS IS-VSD QG-VGS C-VDS

相关资质

目前具有MOSFET常规静态特性CNAS资质

测试周期

1、全规格书测试周期约15工作日

2、常规静态特性及特性曲线测试周期约3～5工作日

服务背景

电性能参数测试是一系列标准化的测量过程，旨在评估和验证功率半导体分立器件的性能指标是否满足特定的应用要求。这些测试包括但不限于测量正向电压降、反向漏电流、开关特性（如开通和关闭时间）、热特性（如热阻和结温）、击穿电压以及对于特定器件如MOSFET的导通电阻等。通过这些测试，制造商和工程师能够确保每个器件都能在其预期的工作环境中提供最优性能，同时帮助设计者选择最适合其特定应用需求的半导体器件

我们的优势

⼯业和信息化部“⾯向集成电路、芯⽚产业的公共服务平台”。

⼴东省⼯业和信息化厅“汽车芯⽚检测公共服务平台”。

江苏省发展和改⾰委员会“第三代半导体器件性能测试与材料分析⼯程研究中⼼”

MOS FET/IGBT 动态参数测试系统解决方案成功入选《2025 年无锡市场景清单（第一批）》。

为国内三分之二的功率器件龙头企业提供参数测试、可靠性试验及失效分析。

第三代半导体检测领域合作客户超过80家，样品数量三十余万件。

常见问题

Q：如何选择测试样品量？

A：1、建议10pcs以上的样品量；

2、对于热特性项目建议额外寄送等量需求样品量的数量；

 

Q：对于SiC MOS/IGBT如何选择其动态特性测试条件及测试方案？

A：开关特性及反向恢复特性一般会按照其额定电压的50%～70%、额定电流来作为测试条件，常见的如1200V 40A的SiC MOS一般会选择800V 40A的测试条件，650V的IGBT会选择400V作为测试条件。依据IEC 60746-8 2021、IEC 60747-9 2019标准，第三代半导体会选择电感作为负载的双脉冲测试方案。

Output curve

Transfer curve