TEM透射电子显微镜拍摄分析
透射电子显微镜（Transmission Electron Microscope，简称TEM）已成为材料和半导体领域不可或缺的分析检测仪器。其是一种以高能电子束为照明源，通过电磁透镜将穿过试样（厚度约为10-150nm）的电子（即透射电子）聚焦成像的电子光学仪器。通过结合多种TEM技术，可同时获得样品的形貌、晶体结构和化学成分信息。其中TEM分辨率可达0.12nm，STEM分辨率可达0.16nm。
评价
服务内容
TEM（明场像、离轴暗场像、中心暗场像、高分辨像、弱束暗场像）；STEM（HAADF像、DF像、BF像、EDS能谱、iDPC像）；衍射（选区衍射、会聚束衍射、纳米束衍射）
服务范围
芯片类（晶圆厂、半导体设备厂、芯片设计公司等）；材料类（高校、科研院所以及材料研发企业）。
测试周期
常规5-7个工作日。
服务背景
随着国外加强技术封锁，国内高科技企业越来越注重芯片的自主研发能力，随之也带动了半导体设备的国产化热潮。随着芯片制程的缩小，芯片研发与半导体设备研发越来越离不开TEM这样的显微分析工具；透射电子显微镜对于材料研究和开发具有不可替代的重要作用。它可以提供材料的微观结构信息，如晶体结构、缺陷、元素种类及含量等，有助于分析材料的性能和行为。能够帮助研究材料的相变、扩散等过程，对材料的设计和改进有指导意义。
我们的优势
广电计量聚焦TEM分析测试技术，拥有业界领先的专家团队及先进的TEM分析设备（Talos F200X G2）。能针对各类客户的研发需求，提供相应的TEM分析测试方案。我司具备7nm及以下先进制程的FIB-TEM分析测试能力。
案例分享
4nm FinFet HRTEM图片
SrTiO3-HRSTEM原子像以及原子级EDS分析