芯片级ESD测试
芯片级ESD（静电放电，Electrostatic Discharge）测试是一种针对集成电路（IC）的可靠性测试，用于评估芯片在制造、封装、运输或使用过程中抵抗静电放电干扰的能力。广电计量拥有成熟的技术团队及行业资深专家，能够高效的提供ESD测试服务。
评价
服务内容
HBM（人体放电模型），CDM（充电器件模型）,MM（机器模型），TLP（传输线脉冲），VFTLP（极快速传输线脉冲）
服务范围
集成电路（IC）,光模块，分立器件，裸DIE
检测标准
ANSI/ESDA/JEDEC JS-001:2024人体模式静电放电敏感度测试-元件等级
GJB 548C-2021 方法 3015.1微电子器件试验方法和程序
MIL-STD-883-3:2019 方法 3015.9微电路环境测试方法
AEC-Q100-002 REV-E人体模型静电放电试验
AEC-Q101-001 REV-A人体模型静电放电试验
ANSI/ESDA/JEDEC JS-002:2022元器件静电放电敏感度测试-器件等级
AEC-Q100-011 REV-D带电器件模型静电敏感度试验
ANSI/ESD STM5.5.1-2022传输线脉冲静电放电敏感度测试
JESD22-A115C：2010机器模型静电敏感度试验
GJB 128B-2021 方法1020 半导体分立器件试验方法
IEC61000-4-2:2008电磁兼容试验和测量技术静电放电抗扰度试验
道路车辆静电放电产生的电骚扰试验方法 ISO10605:2008
检测项目
| 测试设备 | 厂家 | 测试项目 |
| MK.2TE | 赛默飞世尔 |
①HBM:30V~8000V,最小步进1V ②MM:30V~2000V,最小步进1V ③支持768channels，5组电源，最大电压电流输出5A@30V，1A@100V ④Latch-up闩锁测试 |
| MK.4TE | 赛默飞世尔 |
①HBM:25V~8000V,最小步进1V ②MM:25V~1500V,最小步进1V ③支持2304channels，7组电源，最大电压电流输出10A@30V，1A@100V ④Latch-up闩锁测试 |
| Orion3 | 赛默飞世尔 | ①CDM:25V~2000V,最小步进1V |
| TLP | HPPI (德国) |
①脉宽：100nS ②上升沿：2nS,10nS ③最大脉冲电压：±2000V ④最大短路输出电流40A |
| VFTLP | ESDEMC |
①脉冲宽度：1ns, 2.5ns, 5ns, 10ns, 100ns, 1000ns ②上升时间：0.1ns, 0.2ns, 0.6ns, 1ns, 10ns ③最大脉冲电压：±2000V ④最大输出电流40A |
相关资质
CNAS
测试周期
3~7个工作日
服务背景
静电放电是电荷瞬间释放的现象（如人体接触芯片时的放电），其电压可达数千伏，足以击穿芯片内部的绝缘层或损坏晶体管，导致功能失效或性能退化。芯片流片后若因ESD问题失效，返工成本极高（尤其是先进工艺）。测试能在设计阶段识别漏洞，降低后期风险。随着半导体工艺进入纳米级（如7nm、5nm），芯片尺寸缩小、集成度提高，对ESD的耐受能力显著下降。ESD测试成为芯片可靠性的核心保障之一。
我们的优势
广电计量ESD测试依托国家级实验室技术实力，配备国际先进设备及全场景测试方案，通过CNAS、CMA等权威认证，提供高效精准的静电防护检测服务，助力企业提升产品可靠性及市场竞争力。