芯片级EOS测试
芯片级EOS测试通过模拟电源浪涌、电流过载等电气过应力场景，精准评估器件耐受极限及失效机理，结合高精度脉冲源与实时监测技术，定位电路设计缺陷及防护结构薄弱点，优化耐压能力、提升产品可靠性。
评价
服务内容
Surge（浪涌测试），可调整方波脉冲
服务范围
集成电路（IC），分立器件，模块，晶圆，系统级产品
检测标准
IEC61000-4-5:2017
GB/T17626.5-2019
检测项目
| 测试设备 | 测试项目 |
| 雷击浪涌发生器 |
①脉冲波形：电压:1.2/50us，电流:8/20us ②最大脉冲电压：±3 V to ±1000 V ③最大短路输出电流1.5A～±500.0A (仅限 2Ω内阻) ④符合标准：IEC 61000-4-5 ， GB/T17626.5 |
| 台式脉冲源表 |
①脉冲宽度：500μs，1ms，3ms，5ms，10ms...... ②最大功率：3A@100V，30A@30V |
相关资质
CNAS
测试周期
1~3个工作日
服务背景
芯片级EOS测试通过模拟极端电气条件，确保芯片从设计到量产的每个环节均能满足可靠性要求。它不仅关乎技术合规性，更是降低风险、提升市场竞争力的必要手段。未通过测试的芯片可能在关键应用中引发灾难性损伤。
我们的优势
广电计量EOS测试拥有资深技术团队，依托先进技术平台，通过多场景模拟（如电源浪涌、热插拔等），精准识别芯片设计缺陷与工艺薄弱点，提供从消费电子到车规级芯片的全流程定制化服务，助力企业缩短研发周期，提升产品可靠性与市场竞争力。