PFIB等离子体聚焦离子束显微镜

与传统的镓离子聚焦离子束（Ga-FIB）相比，PFIB采用了功率更强大的氙（Xe）离子束，在30 keV能量条件下可达到2.5 μA的最大电流，这使得其蚀刻速率提高了约50倍。因此PFIB尤其适合于大尺寸（>100 um）的截面加工。PFIB可以解决传统的Ga-FIB无法解决的场景问题，包括无Ga+ TEM样品制备，倒装芯片封装级失效分析，多孔材料大视野分析，大体积三维重构等，在半导体及材料分析领域有广大的应用前景。