DB-FIB双束聚焦离子束显微镜
广电计量能够提供专业的双束聚焦离子束 (DB-FIB)分析服务。热门检测项目包括先进制程（14 nm及以下工艺节点）TEM样品切片，FA热点分析（包括OBIRCH等不同方法抓取的热点截面缺陷分析），常规定点截面加工等。
评价
服务内容/范围及检测项目
a. TEM薄片样品切片
双束聚焦离子束显微镜 (DB-FIB) 的一个重要应用就是用来制备透射电子显微镜（TEM）的超薄样品。广电计量针对该应用可以提供如下检测项目：
| 检测项目 | 报价单位 | 样品类型 |
| 硅(Si)基样品XS（截面）制样 | 颗（ea） | 14nm及以下先进制程芯片；28nm、40nm、 55nm及以上制程芯片 |
| 硅(Si)基样品PV (平面) 制样 | 颗（ea） | 14nm及以下先进制程芯片；28nm、40nm、 55nm及以上制程芯片 |
| 非硅基样品XS（截面）制样 | 小时（h） | 除硅基以外的其它类型样品，包括砷化镓 (GaAs)，氮化镓 (GaN)，碳化硅 (SiC)等 |
| 非硅基样品PV (平面) 制样 | 小时（h） | 除硅基以外的其它类型样品，包括砷化镓 (GaAs)，氮化镓 (GaN)，碳化硅 (SiC)等 |
| 特殊制样 | 小时（h） | 各种新型材料样品，包括锂电材料、石墨烯电极材料等 |
b. FA热点截面分析
| 检测项目 | 报价单位 | 样品类型 |
| FA热点截面分析（包括OBIRCH等不同方法抓取的热点，广电可提供包括热点抓取在内的一站式检测） | 小时（h） | 半导体类：Wafer、IC、元器件、MEMS、激光器等； |
c. 常规截面加工
| 检测项目 | 报价单位 | 样品类型 |
| 定点截面加工 | 小时（h） |
半导体类：Wafer、IC、元器件、PCB、MEMS、激光器等； 其它非半导体类型的样品 |
| 非定点截面加工 | 小时（h） |
半导体类：Wafer、IC、元器件、PCB、MEMS、激光器等； 其它非半导体类型的样品 |
测试周期
常规测试周期为3个自然日。针对特殊要求可以提供48h、24h、12h的不同响应时效报价。
我们的优势
广电计量团队成员拥有先进制程晶圆制造的相关经验，坚持以客户为中心，致力于为客户提供准确、及时、周到的检测服务
广电计量是国内最大规模的国有第三方检测上市公司，平台拥有健全的管理机制，完善的全流程检测分析能力，能够为客户提供专案整案的高时效权威分析
常见问题
检测样品要求：
无水，样品不能含有液体成分；离子束辐照下稳定（部分有机物样品无法检测）；尺寸要求长宽高一般不超过10cm*10cm*5cm
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