服务介绍

功率器件失效分析是针对MOSFET、IGBT、SiC/GaN等器件在高电压、大电流、高温环境下因电-热-机械应力耦合作用引发的失效，通过电学测试（如静态/动态参数、失效复现）、无损检测（X-ray、热成像）、破坏性分析（开封、剖面、材料表征）等手段定位失效根源（如栅氧击穿、热失控、封装分层），并结合行业标准（AEC-Q101、JEDEC）和仿真工具提出设计优化与工艺改进方案，以提升器件在新能源、电动汽车等高压场景中的可靠性。

服务内容

提供功率器件失效分析服务，为客户寻找器件失效的原因，方便客户通过器件失效原因来优化产品设计、把控产品质量、规范产品使用环境等。

服务范围

MOSFET、IGBT等功率器件或模组

检测标准

l  GJB8897-2017军用电子元器件失效分析要求与方法

l  GJB548B-2005微电子器件试验方法和程序

l  GJB4027B-2021 军用电子元器件破坏性物理分析方法

l  GJB33A-1997半导体分立器件总规范

l  GJB597A-1996半导体集成电路总规范

检测项目

● 形貌分析：体视显微镜检查、⾦相显微镜检查、X射线检查、SAT声学扫描显微镜检查、SEM扫描电镜检查、TEM透射电镜检查、FIB聚焦离子束切割；

● 成分检测：能谱分析EDS、二次离子质谱分析SIMS、X射线光电子能谱分析XPS、红外分析FTIR、光谱、色谱、质谱等；

● 电性分析：I-V曲线测试、半导体参数测试、LCR参数测试、集成电路参数测试、频谱分析测试、ESD参数测试、机械探针测试、绝缘耐压测试等；

● 开封制样：化学开封、机械开封、等离子刻蚀、反应离子刻蚀、化学腐蚀、切片、IC取芯片、芯片去层、衬底检查、DB FIB等；

● 缺陷定位：红外热像、电压衬度、InGaAs热点定位、OBIRCH热点定位、Thermal热点定位、PN结染⾊、弹坑检测等。

相关资质

CNAS

测试周期

单项测试1-3个工作日左右，整体分析按复杂程度不同为5-10个工作日左右

服务背景

受益于国产替代趋势，国内功率器件厂商迎来了空前的发展机会。在成长中厂商迫切希望减少或消除产品失效，并在设计、⼯艺和产品研发、量产、可靠性测试、封装等阶段进⾏改进，以迅速占领市场。

我们的优势

  广电计量深耕装备电子元器件失效分析与故障归零，集聚一大批电子元器件失效分析专业人员，积累了大量的失效分析经验，为电子元器件提供专业化的失效分析。

  广电计量具备CMA认证、ISO 17025（CNAS）认可，拥有完善的质量保证措施，积极参加各类能力验证项目，确保检测结果公正准确、可追溯。